ITO 박막              PVD 도막 2월 24일              ITO 는 N 형 산화물 반도체 - 산화인듐 주석 인듐, 인듐, 인듐 산화물 반도체 투명 전도막, 보통 두 개의 성능 지표: 저항률과 투광률.              발전하다              참말로 ITO 박막의 연구작업은 19세기 말인가, 당시 광전전도 재료에서 얇은 금속박막을 얻었다.투명 도전 재료에 대한 연구가 새로운 시기에 들어서든지 제2차 세계대전 기간에 항공기의 얼음 유리 제거에 주로 응용해야 한다.1950년, 두 번째 투명반도체 산화물 인22O3이 처음으로 만들어졌고, 특히 인21O3에 석에 끼워 넣은 후, 이 재료는 투명도전기 박막 방면에서 보편적인 응용을 얻고 광활한 응용 전망을 갖추고 있다.              기본 성능              하나, ITO 박막의 기본 성능 ITO (In2O3:SnO2 =9:1)의 미시적인 구조는 인투O3에 Sn, Sn 원소는 인투O3의 In2O2 형식을 대체할 수 있다. 인투O3 중 In2의 In2의 요소는 3가 되기 때문에 SnO2 시에는 하나의 전자를 이끌고, 같은 시기에 일정한 부족 상태에서 산소 를 형성하고 102020에서 1021cm -3의 산소농도 농도 와 10102cm -3의 유자 농도, 102cm30cm 2 /vs 이전률.              오메가cm 수량의 저박막저항률을 제공해 ITO 박막은 반도체의 전도성을 갖추고 있다.ITO 는 박막 재료를 넓게 지니고, 그 끈은 3.5 -4.3ev이다.자외광구는 금대 흡수 임계가 3.75ev로 330nm의 파장과 맞기 때문에 자외광구 ITO 박막의 빛은 매우 낮다.동시 홍외구는 유자의 등이온체 진동 현상으로 반사되기 때문에 가까운 홍외구 ITO 박막의 빛투과율도 낮지만 광구 ITO 박막의 투과율이 매우 좋다. 재료 자체 특정한 물리화학 성능 때문에 ITO 박막은 양호한 전도성과 광구가 비교적 높은 빛을 볼 수 있다.              ITO 의 박막에 영향을 미치는 몇몇 요소 ITO 박막의 면저항 (R), 막후 (d) 3자 간에 서로 연관되어 있다. 이 3자 간 계산 공식은 R = ITO / d.공식적으로는 서로 다른 면저항 (R)의 ITO 박막을 얻기 위해 실제로 다른 막두와 저항률을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.              일반적으로 ITO 박막막을 마련할 때 다른 막층의 두께를 얻기 쉽기 때문에 박막의 침적 속도와 침적 속도를 조절해 소막층의 두께를 제정해 해당 공예법과 수단을 통해 정밀한 포막층의 두께와 균일하게 통제할 수 있다.              ITO 박막의 저항율 (ITO)의 크기는 ITO 박막제 공예 준비의 열쇠, 저항율 (ITO)도 ITO 박막의 성능을 재는 중요한 지표다.로우 로우 (CCC주우) 의 몇 가지 주요 요인, n, T 는 유자 농도 및 배송자 이동률을 나타냈다.n, T 가 크면 할수록, 박막의 저항률이 작을수록, 반대도 마찬가지다.유자 농도 (n)와 ITO 박막 소재의 구성, 즉 ITO 박막의 함량 자체를 구성하는 석함량과 산소 함유량과 관련해 높은 적재자 농도를 얻기 위해 ITO 침적 재료를 조절하는 석함유량과 산소 함량, 산소 함유율 (T)은 ITO 박막의 결정 상태, 결정체 구조와 박막의 결함 밀도 를 얻기 위해 ITO비교적 높은 적립자 이동률 (T) 은 박막의 침적 온도 조절, 전압과 성막의 조건을 합리적으로 조절할 수 있다.              그래서 ITO 박막의 제비공예에서 이토박막의 저항률은 ITO 박막재료뿐 아니라 석함량과 산소함량 함유량과 관련해 ITO 박막의 공예조건 (침적시 기편온도, 방사전압 등)과 관련 있다.과학기술 문헌과 실험은 ITO 박막의 저항률과 ITO 소재의 Sn, O2 원소의 함량, ITO 박막제 준비시 기편온도 등 공예 조건의 관계를 분석했다.              3. 저사전압을 통해 ITO 박막의 공예와 방법              1, 저전압 방사제 ITO 박막은 ITO 박막 자체에 산소 함유 요소를 함유하고 있으며, 자기제어 방사제 ITO 박막에 많은 산소음이온, 산소음이온, 산소음이온 전장 작용 하에 일정한 입자에너지로 침적된 ITO 박막 표면으로 ITO 박막의 결정 구조와 결정체 상태로 구조를 조성할 수 있다.튀어나온 전압이 커질수록 산소음이온 폭격막층 표면의 에너지도 커질수록 이런 구조적 결함이 커질 확률이 커질수록 결정적 구조적 결함도 심각해지고, 이로 인해 ITO 박막의 저항률이 상승하고, 일반적으로 자소사침적 ITO 의 박막에 튀는 발사 전압이 -400V 정도, 일정한 공예 방법으로 전압을 떨어뜨리면 -200V이하, 침적된 ITO 박막저항률은 50% 이상을 낮춰 ITO 박막의 제품의 품질을 높일 뿐만 아니라 제품의 생산 원가를 낮추고 있다.              2, 두 종은 직류 자기제어에 ITO 박막에 박막을 떨어뜨릴 때 전압을 내리는 효과적인 경로자장 강도가 전압을 발사하는 영향에 대해 자장 강도가 300g 때 전압을 튀기는 것은 약 350v이다. 그러나 자장 강도가 1000g까지 올라갈 때, 전압이 떨어지면 -250v 정도 떨어진다.일반적으로 자장의 강도가 높을수록 전압이 낮을수록 자장의 강도는 1000g 이상이었을 때, 자장의 강도가 전압을 튀는 영향이 눈에 띄지 않았다.따라서 ITO 박막의 전압을 낮추기 위해 합리적으로 음극의 자장 강도를 높여 실현할 수 있다.RF + DC 전원 사용은 전압에 미치는 영향 을 효과적으로 낮추기 위해 자기 제어 의 전기 를 낮추다